Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMSD6N303R2G
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 24V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46555 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMSD6N303R2G
NTMSD6N303R2G Elektronické komponenty
NTMSD6N303R2G Odbyt
NTMSD6N303R2G Dodavatel
NTMSD6N303R2G Distributor
NTMSD6N303R2G Datová tabulka
NTMSD6N303R2G Fotky
NTMSD6N303R2G Cena
NTMSD6N303R2G Nabídka
NTMSD6N303R2G Nejnižší cena
NTMSD6N303R2G Vyhledávání
NTMSD6N303R2G Nákup
NTMSD6N303R2G Chip