NTMS5P02R2G
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMS5P02R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
790mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.95A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52813 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS5P02R2G
NTMS5P02R2G Elektronické komponenty
NTMS5P02R2G Odbyt
NTMS5P02R2G Dodavatel
NTMS5P02R2G Distributor
NTMS5P02R2G Datová tabulka
NTMS5P02R2G Fotky
NTMS5P02R2G Cena
NTMS5P02R2G Nabídka
NTMS5P02R2G Nejnižší cena
NTMS5P02R2G Vyhledávání
NTMS5P02R2G Nákup
NTMS5P02R2G Chip