Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMS4N01R2G
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMS4N01R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
770mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7256 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS4N01R2G
NTMS4N01R2G Elektronické komponenty
NTMS4N01R2G Odbyt
NTMS4N01R2G Dodavatel
NTMS4N01R2G Distributor
NTMS4N01R2G Datová tabulka
NTMS4N01R2G Fotky
NTMS4N01R2G Cena
NTMS4N01R2G Nabídka
NTMS4N01R2G Nejnižší cena
NTMS4N01R2G Vyhledávání
NTMS4N01R2G Nákup
NTMS4N01R2G Chip