NTMS4920NR2G
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Číslo dílu
NTMS4920NR2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
820mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4068pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25691 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS4920NR2G
NTMS4920NR2G Elektronické komponenty
NTMS4920NR2G Odbyt
NTMS4920NR2G Dodavatel
NTMS4920NR2G Distributor
NTMS4920NR2G Datová tabulka
NTMS4920NR2G Fotky
NTMS4920NR2G Cena
NTMS4920NR2G Nabídka
NTMS4920NR2G Nejnižší cena
NTMS4920NR2G Vyhledávání
NTMS4920NR2G Nákup
NTMS4920NR2G Chip