Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMS4101PR2
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMS4101PR2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
1.38W (Tj)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49359 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS4101PR2
NTMS4101PR2 Elektronické komponenty
NTMS4101PR2 Odbyt
NTMS4101PR2 Dodavatel
NTMS4101PR2 Distributor
NTMS4101PR2 Datová tabulka
NTMS4101PR2 Fotky
NTMS4101PR2 Cena
NTMS4101PR2 Nabídka
NTMS4101PR2 Nejnižší cena
NTMS4101PR2 Vyhledávání
NTMS4101PR2 Nákup
NTMS4101PR2 Chip