Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMFS5832NLT1G

NTMFS5832NLT1G

MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
Číslo dílu
NTMFS5832NLT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Dodavatelský balíček zařízení
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta), 111A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47459 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTMFS5832NLT1G
NTMFS5832NLT1G Elektronické komponenty
NTMFS5832NLT1G Odbyt
NTMFS5832NLT1G Dodavatel
NTMFS5832NLT1G Distributor
NTMFS5832NLT1G Datová tabulka
NTMFS5832NLT1G Fotky
NTMFS5832NLT1G Cena
NTMFS5832NLT1G Nabídka
NTMFS5832NLT1G Nejnižší cena
NTMFS5832NLT1G Vyhledávání
NTMFS5832NLT1G Nákup
NTMFS5832NLT1G Chip