Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Číslo dílu
NTMD6P02R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
750mW
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.8A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5418 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G Elektronické komponenty
NTMD6P02R2G Odbyt
NTMD6P02R2G Dodavatel
NTMD6P02R2G Distributor
NTMD6P02R2G Datová tabulka
NTMD6P02R2G Fotky
NTMD6P02R2G Cena
NTMD6P02R2G Nabídka
NTMD6P02R2G Nejnižší cena
NTMD6P02R2G Vyhledávání
NTMD6P02R2G Nákup
NTMD6P02R2G Chip