Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Číslo dílu
NTMD6N03R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.29W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 24V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50598 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTMD6N03R2G
NTMD6N03R2G Elektronické komponenty
NTMD6N03R2G Odbyt
NTMD6N03R2G Dodavatel
NTMD6N03R2G Distributor
NTMD6N03R2G Datová tabulka
NTMD6N03R2G Fotky
NTMD6N03R2G Cena
NTMD6N03R2G Nabídka
NTMD6N03R2G Nejnižší cena
NTMD6N03R2G Vyhledávání
NTMD6N03R2G Nákup
NTMD6N03R2G Chip