Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJS4159NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
Číslo dílu
NTLJS4159NT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1045pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52331 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTLJS4159NT1G
NTLJS4159NT1G Elektronické komponenty
NTLJS4159NT1G Odbyt
NTLJS4159NT1G Dodavatel
NTLJS4159NT1G Distributor
NTLJS4159NT1G Datová tabulka
NTLJS4159NT1G Fotky
NTLJS4159NT1G Cena
NTLJS4159NT1G Nabídka
NTLJS4159NT1G Nejnižší cena
NTLJS4159NT1G Vyhledávání
NTLJS4159NT1G Nákup
NTLJS4159NT1G Chip