NTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Číslo dílu
NTLJF4156NT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
710mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
70 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
427pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31119 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G Elektronické komponenty
NTLJF4156NT1G Odbyt
NTLJF4156NT1G Dodavatel
NTLJF4156NT1G Distributor
NTLJF4156NT1G Datová tabulka
NTLJF4156NT1G Fotky
NTLJF4156NT1G Cena
NTLJF4156NT1G Nabídka
NTLJF4156NT1G Nejnižší cena
NTLJF4156NT1G Vyhledávání
NTLJF4156NT1G Nákup
NTLJF4156NT1G Chip