Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJF3118NTBG

NTLJF3118NTBG

MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Číslo dílu
NTLJF3118NTBG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
271pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49174 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTLJF3118NTBG
NTLJF3118NTBG Elektronické komponenty
NTLJF3118NTBG Odbyt
NTLJF3118NTBG Dodavatel
NTLJF3118NTBG Distributor
NTLJF3118NTBG Datová tabulka
NTLJF3118NTBG Fotky
NTLJF3118NTBG Cena
NTLJF3118NTBG Nabídka
NTLJF3118NTBG Nejnižší cena
NTLJF3118NTBG Vyhledávání
NTLJF3118NTBG Nákup
NTLJF3118NTBG Chip