Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJF3118NTAG

NTLJF3118NTAG

MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Číslo dílu
NTLJF3118NTAG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
271pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28435 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTLJF3118NTAG
NTLJF3118NTAG Elektronické komponenty
NTLJF3118NTAG Odbyt
NTLJF3118NTAG Dodavatel
NTLJF3118NTAG Distributor
NTLJF3118NTAG Datová tabulka
NTLJF3118NTAG Fotky
NTLJF3118NTAG Cena
NTLJF3118NTAG Nabídka
NTLJF3118NTAG Nejnižší cena
NTLJF3118NTAG Vyhledávání
NTLJF3118NTAG Nákup
NTLJF3118NTAG Chip