NTLJF3117PT1G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Číslo dílu
NTLJF3117PT1G
Výrobce/značka
Série
µCool™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
710mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
531pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36501 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1G Elektronické komponenty
NTLJF3117PT1G Odbyt
NTLJF3117PT1G Dodavatel
NTLJF3117PT1G Distributor
NTLJF3117PT1G Datová tabulka
NTLJF3117PT1G Fotky
NTLJF3117PT1G Cena
NTLJF3117PT1G Nabídka
NTLJF3117PT1G Nejnižší cena
NTLJF3117PT1G Vyhledávání
NTLJF3117PT1G Nákup
NTLJF3117PT1G Chip