Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJD3182FZTAG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Číslo dílu
NTLJD3182FZTAG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
710mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28070 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTLJD3182FZTAG
NTLJD3182FZTAG Elektronické komponenty
NTLJD3182FZTAG Odbyt
NTLJD3182FZTAG Dodavatel
NTLJD3182FZTAG Distributor
NTLJD3182FZTAG Datová tabulka
NTLJD3182FZTAG Fotky
NTLJD3182FZTAG Cena
NTLJD3182FZTAG Nabídka
NTLJD3182FZTAG Nejnižší cena
NTLJD3182FZTAG Vyhledávání
NTLJD3182FZTAG Nákup
NTLJD3182FZTAG Chip