NTHS4111PT1G
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Číslo dílu
NTHS4111PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
ChipFET™
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 24V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22568 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTHS4111PT1G
NTHS4111PT1G Elektronické komponenty
NTHS4111PT1G Odbyt
NTHS4111PT1G Dodavatel
NTHS4111PT1G Distributor
NTHS4111PT1G Datová tabulka
NTHS4111PT1G Fotky
NTHS4111PT1G Cena
NTHS4111PT1G Nabídka
NTHS4111PT1G Nejnižší cena
NTHS4111PT1G Vyhledávání
NTHS4111PT1G Nákup
NTHS4111PT1G Chip