NTHS4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Číslo dílu
NTHS4101PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.8A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
34 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20739 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G Elektronické komponenty
NTHS4101PT1G Odbyt
NTHS4101PT1G Dodavatel
NTHS4101PT1G Distributor
NTHS4101PT1G Datová tabulka
NTHS4101PT1G Fotky
NTHS4101PT1G Cena
NTHS4101PT1G Nabídka
NTHS4101PT1G Nejnižší cena
NTHS4101PT1G Vyhledávání
NTHS4101PT1G Nákup
NTHS4101PT1G Chip