Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTHD4P02FT1G

NTHD4P02FT1G

MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Číslo dílu
NTHD4P02FT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.1W (Tj)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9230 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1G Elektronické komponenty
NTHD4P02FT1G Odbyt
NTHD4P02FT1G Dodavatel
NTHD4P02FT1G Distributor
NTHD4P02FT1G Datová tabulka
NTHD4P02FT1G Fotky
NTHD4P02FT1G Cena
NTHD4P02FT1G Nabídka
NTHD4P02FT1G Nejnižší cena
NTHD4P02FT1G Vyhledávání
NTHD4P02FT1G Nákup
NTHD4P02FT1G Chip