Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTHD4N02FT1G
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Číslo dílu
NTHD4N02FT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
ChipFET™
Ztráta energie (max.)
910mW (Tj)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.9A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13070 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTHD4N02FT1G
NTHD4N02FT1G Elektronické komponenty
NTHD4N02FT1G Odbyt
NTHD4N02FT1G Dodavatel
NTHD4N02FT1G Distributor
NTHD4N02FT1G Datová tabulka
NTHD4N02FT1G Fotky
NTHD4N02FT1G Cena
NTHD4N02FT1G Nabídka
NTHD4N02FT1G Nejnižší cena
NTHD4N02FT1G Vyhledávání
NTHD4N02FT1G Nákup
NTHD4N02FT1G Chip