Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTHD3101FT1G

NTHD3101FT1G

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Číslo dílu
NTHD3101FT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52529 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G Elektronické komponenty
NTHD3101FT1G Odbyt
NTHD3101FT1G Dodavatel
NTHD3101FT1G Distributor
NTHD3101FT1G Datová tabulka
NTHD3101FT1G Fotky
NTHD3101FT1G Cena
NTHD3101FT1G Nabídka
NTHD3101FT1G Nejnižší cena
NTHD3101FT1G Vyhledávání
NTHD3101FT1G Nákup
NTHD3101FT1G Chip