Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTGD4169FT1G
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Číslo dílu
NTGD4169FT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-25°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
900mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10827 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTGD4169FT1G
NTGD4169FT1G Elektronické komponenty
NTGD4169FT1G Odbyt
NTGD4169FT1G Dodavatel
NTGD4169FT1G Distributor
NTGD4169FT1G Datová tabulka
NTGD4169FT1G Fotky
NTGD4169FT1G Cena
NTGD4169FT1G Nabídka
NTGD4169FT1G Nejnižší cena
NTGD4169FT1G Vyhledávání
NTGD4169FT1G Nákup
NTGD4169FT1G Chip