Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD6600N
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Číslo dílu
NTD6600N
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44815 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD6600N
NTD6600N Elektronické komponenty
NTD6600N Odbyt
NTD6600N Dodavatel
NTD6600N Distributor
NTD6600N Datová tabulka
NTD6600N Fotky
NTD6600N Cena
NTD6600N Nabídka
NTD6600N Nejnižší cena
NTD6600N Vyhledávání
NTD6600N Nákup
NTD6600N Chip