NTD6416ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Číslo dílu
NTD6416ANLT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
74 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54839 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD6416ANLT4G
NTD6416ANLT4G Elektronické komponenty
NTD6416ANLT4G Odbyt
NTD6416ANLT4G Dodavatel
NTD6416ANLT4G Distributor
NTD6416ANLT4G Datová tabulka
NTD6416ANLT4G Fotky
NTD6416ANLT4G Cena
NTD6416ANLT4G Nabídka
NTD6416ANLT4G Nejnižší cena
NTD6416ANLT4G Vyhledávání
NTD6416ANLT4G Nákup
NTD6416ANLT4G Chip