Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD6416ANL-1G
MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
Číslo dílu
NTD6416ANL-1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
74 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29419 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD6416ANL-1G
NTD6416ANL-1G Elektronické komponenty
NTD6416ANL-1G Odbyt
NTD6416ANL-1G Dodavatel
NTD6416ANL-1G Distributor
NTD6416ANL-1G Datová tabulka
NTD6416ANL-1G Fotky
NTD6416ANL-1G Cena
NTD6416ANL-1G Nabídka
NTD6416ANL-1G Nejnižší cena
NTD6416ANL-1G Vyhledávání
NTD6416ANL-1G Nákup
NTD6416ANL-1G Chip