Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Číslo dílu
NTD5867NLT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23661 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD5867NLT4G
NTD5867NLT4G Elektronické komponenty
NTD5867NLT4G Odbyt
NTD5867NLT4G Dodavatel
NTD5867NLT4G Distributor
NTD5867NLT4G Datová tabulka
NTD5867NLT4G Fotky
NTD5867NLT4G Cena
NTD5867NLT4G Nabídka
NTD5867NLT4G Nejnižší cena
NTD5867NLT4G Vyhledávání
NTD5867NLT4G Nákup
NTD5867NLT4G Chip