NTD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
Číslo dílu
NTD5865NLT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26945 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD5865NLT4G
NTD5865NLT4G Elektronické komponenty
NTD5865NLT4G Odbyt
NTD5865NLT4G Dodavatel
NTD5865NLT4G Distributor
NTD5865NLT4G Datová tabulka
NTD5865NLT4G Fotky
NTD5865NLT4G Cena
NTD5865NLT4G Nabídka
NTD5865NLT4G Nejnižší cena
NTD5865NLT4G Vyhledávání
NTD5865NLT4G Nákup
NTD5865NLT4G Chip