Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD4960N-1G
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
Číslo dílu
NTD4960N-1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48881 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD4960N-1G
NTD4960N-1G Elektronické komponenty
NTD4960N-1G Odbyt
NTD4960N-1G Dodavatel
NTD4960N-1G Distributor
NTD4960N-1G Datová tabulka
NTD4960N-1G Fotky
NTD4960N-1G Cena
NTD4960N-1G Nabídka
NTD4960N-1G Nejnižší cena
NTD4960N-1G Vyhledávání
NTD4960N-1G Nákup
NTD4960N-1G Chip