Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD4909NT4G

NTD4909NT4G

MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
Číslo dílu
NTD4909NT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 41A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1314pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15620 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTD4909NT4G
NTD4909NT4G Elektronické komponenty
NTD4909NT4G Odbyt
NTD4909NT4G Dodavatel
NTD4909NT4G Distributor
NTD4909NT4G Datová tabulka
NTD4909NT4G Fotky
NTD4909NT4G Cena
NTD4909NT4G Nabídka
NTD4909NT4G Nejnižší cena
NTD4909NT4G Vyhledávání
NTD4909NT4G Nákup
NTD4909NT4G Chip