Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD2955T4G

NTD2955T4G

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Číslo dílu
NTD2955T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
55W (Tj)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53641 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTD2955T4G
NTD2955T4G Elektronické komponenty
NTD2955T4G Odbyt
NTD2955T4G Dodavatel
NTD2955T4G Distributor
NTD2955T4G Datová tabulka
NTD2955T4G Fotky
NTD2955T4G Cena
NTD2955T4G Nabídka
NTD2955T4G Nejnižší cena
NTD2955T4G Vyhledávání
NTD2955T4G Nákup
NTD2955T4G Chip