Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD23N03R

NTD23N03R

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Číslo dílu
NTD23N03R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.76nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19482 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTD23N03R
NTD23N03R Elektronické komponenty
NTD23N03R Odbyt
NTD23N03R Dodavatel
NTD23N03R Distributor
NTD23N03R Datová tabulka
NTD23N03R Fotky
NTD23N03R Cena
NTD23N03R Nabídka
NTD23N03R Nejnižší cena
NTD23N03R Vyhledávání
NTD23N03R Nákup
NTD23N03R Chip