Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD18N06G
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Číslo dílu
NTD18N06G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22284 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD18N06G
NTD18N06G Elektronické komponenty
NTD18N06G Odbyt
NTD18N06G Dodavatel
NTD18N06G Distributor
NTD18N06G Datová tabulka
NTD18N06G Fotky
NTD18N06G Cena
NTD18N06G Nabídka
NTD18N06G Nejnižší cena
NTD18N06G Vyhledávání
NTD18N06G Nákup
NTD18N06G Chip