Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD110N02RT4G
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Číslo dílu
NTD110N02RT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
24V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33580 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD110N02RT4G
NTD110N02RT4G Elektronické komponenty
NTD110N02RT4G Odbyt
NTD110N02RT4G Dodavatel
NTD110N02RT4G Distributor
NTD110N02RT4G Datová tabulka
NTD110N02RT4G Fotky
NTD110N02RT4G Cena
NTD110N02RT4G Nabídka
NTD110N02RT4G Nejnižší cena
NTD110N02RT4G Vyhledávání
NTD110N02RT4G Nákup
NTD110N02RT4G Chip