Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTB65N02R

NTB65N02R

MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Číslo dílu
NTB65N02R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53021 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTB65N02R
NTB65N02R Elektronické komponenty
NTB65N02R Odbyt
NTB65N02R Dodavatel
NTB65N02R Distributor
NTB65N02R Datová tabulka
NTB65N02R Fotky
NTB65N02R Cena
NTB65N02R Nabídka
NTB65N02R Nejnižší cena
NTB65N02R Vyhledávání
NTB65N02R Nákup
NTB65N02R Chip