NTB30N20T4G
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Číslo dílu
NTB30N20T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
2W (Ta), 214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
81 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2335pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48579 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTB30N20T4G
NTB30N20T4G Elektronické komponenty
NTB30N20T4G Odbyt
NTB30N20T4G Dodavatel
NTB30N20T4G Distributor
NTB30N20T4G Datová tabulka
NTB30N20T4G Fotky
NTB30N20T4G Cena
NTB30N20T4G Nabídka
NTB30N20T4G Nejnižší cena
NTB30N20T4G Vyhledávání
NTB30N20T4G Nákup
NTB30N20T4G Chip