Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTB13N10T4G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Číslo dílu
NTB13N10T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
64.7W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
165 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47452 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTB13N10T4G
NTB13N10T4G Elektronické komponenty
NTB13N10T4G Odbyt
NTB13N10T4G Dodavatel
NTB13N10T4G Distributor
NTB13N10T4G Datová tabulka
NTB13N10T4G Fotky
NTB13N10T4G Cena
NTB13N10T4G Nabídka
NTB13N10T4G Nejnižší cena
NTB13N10T4G Vyhledávání
NTB13N10T4G Nákup
NTB13N10T4G Chip