Koupit ON Semiconductor NRVBM110LT1G DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

NRVBM110LT1G

DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

Číslo dílu

NRVBM110LT1G

Výrobce/značka

ON Semiconductor

Série

POWERMITE®

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

DO-216AA

Dodavatelský balíček zařízení

Powermite

Typ diody

Schottky

Aktuální – Opravený průměr (Io)

Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If

415mV @ 2A

Proud - Reverzní únik @ Vr

500µA @ 10V

Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)

10V

Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverzní doba zotavení (trr)

Provozní teplota - křižovatka

-55°C ~ 125°C

Kapacita @ Vr, F

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 43794 PCS

Kontaktní informace

Související produkty