Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDS356AP
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
Číslo dílu
NDS356AP
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40720 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDS356AP
NDS356AP Elektronické komponenty
NDS356AP Odbyt
NDS356AP Dodavatel
NDS356AP Distributor
NDS356AP Datová tabulka
NDS356AP Fotky
NDS356AP Cena
NDS356AP Nabídka
NDS356AP Nejnižší cena
NDS356AP Vyhledávání
NDS356AP Nákup
NDS356AP Chip