NDS352AP
MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
Číslo dílu
NDS352AP
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
135pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52513 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDS352AP
NDS352AP Elektronické komponenty
NDS352AP Odbyt
NDS352AP Dodavatel
NDS352AP Distributor
NDS352AP Datová tabulka
NDS352AP Fotky
NDS352AP Cena
NDS352AP Nabídka
NDS352AP Nejnižší cena
NDS352AP Vyhledávání
NDS352AP Nákup
NDS352AP Chip