Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDB6060L
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
Číslo dílu
NDB6060L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-65°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20670 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDB6060L
NDB6060L Elektronické komponenty
NDB6060L Odbyt
NDB6060L Dodavatel
NDB6060L Distributor
NDB6060L Datová tabulka
NDB6060L Fotky
NDB6060L Cena
NDB6060L Nabídka
NDB6060L Nejnižší cena
NDB6060L Vyhledávání
NDB6060L Nákup
NDB6060L Chip