MTD6N20ET4G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
Číslo dílu
MTD6N20ET4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.75W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
700 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35047 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MTD6N20ET4G
MTD6N20ET4G Elektronické komponenty
MTD6N20ET4G Odbyt
MTD6N20ET4G Dodavatel
MTD6N20ET4G Distributor
MTD6N20ET4G Datová tabulka
MTD6N20ET4G Fotky
MTD6N20ET4G Cena
MTD6N20ET4G Nabídka
MTD6N20ET4G Nejnižší cena
MTD6N20ET4G Vyhledávání
MTD6N20ET4G Nákup
MTD6N20ET4G Chip