Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMDF3N02HDR2

MMDF3N02HDR2

MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
Číslo dílu
MMDF3N02HDR2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18153 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HDR2 Elektronické komponenty
MMDF3N02HDR2 Odbyt
MMDF3N02HDR2 Dodavatel
MMDF3N02HDR2 Distributor
MMDF3N02HDR2 Datová tabulka
MMDF3N02HDR2 Fotky
MMDF3N02HDR2 Cena
MMDF3N02HDR2 Nabídka
MMDF3N02HDR2 Nejnižší cena
MMDF3N02HDR2 Vyhledávání
MMDF3N02HDR2 Nákup
MMDF3N02HDR2 Chip