Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR110ATM
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Číslo dílu
IRLR110ATM
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 22W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
440 mOhm @ 2.35A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51450 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR110ATM
IRLR110ATM Elektronické komponenty
IRLR110ATM Odbyt
IRLR110ATM Dodavatel
IRLR110ATM Distributor
IRLR110ATM Datová tabulka
IRLR110ATM Fotky
IRLR110ATM Cena
IRLR110ATM Nabídka
IRLR110ATM Nejnižší cena
IRLR110ATM Vyhledávání
IRLR110ATM Nákup
IRLR110ATM Chip