Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR210BTM_FP001

IRFR210BTM_FP001

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Číslo dílu
IRFR210BTM_FP001
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 26W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49011 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRFR210BTM_FP001
IRFR210BTM_FP001 Elektronické komponenty
IRFR210BTM_FP001 Odbyt
IRFR210BTM_FP001 Dodavatel
IRFR210BTM_FP001 Distributor
IRFR210BTM_FP001 Datová tabulka
IRFR210BTM_FP001 Fotky
IRFR210BTM_FP001 Cena
IRFR210BTM_FP001 Nabídka
IRFR210BTM_FP001 Nejnižší cena
IRFR210BTM_FP001 Vyhledávání
IRFR210BTM_FP001 Nákup
IRFR210BTM_FP001 Chip