Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUF76609D3S

HUF76609D3S

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Číslo dílu
HUF76609D3S
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
49W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41023 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova HUF76609D3S
HUF76609D3S Elektronické komponenty
HUF76609D3S Odbyt
HUF76609D3S Dodavatel
HUF76609D3S Distributor
HUF76609D3S Datová tabulka
HUF76609D3S Fotky
HUF76609D3S Cena
HUF76609D3S Nabídka
HUF76609D3S Nejnižší cena
HUF76609D3S Vyhledávání
HUF76609D3S Nákup
HUF76609D3S Chip