Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUF76609D3

HUF76609D3

MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Číslo dílu
HUF76609D3
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
49W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46520 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova HUF76609D3
HUF76609D3 Elektronické komponenty
HUF76609D3 Odbyt
HUF76609D3 Dodavatel
HUF76609D3 Distributor
HUF76609D3 Datová tabulka
HUF76609D3 Fotky
HUF76609D3 Cena
HUF76609D3 Nabídka
HUF76609D3 Nejnižší cena
HUF76609D3 Vyhledávání
HUF76609D3 Nákup
HUF76609D3 Chip