Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUF75617D3ST

HUF75617D3ST

MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Číslo dílu
HUF75617D3ST
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
64W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29218 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova HUF75617D3ST
HUF75617D3ST Elektronické komponenty
HUF75617D3ST Odbyt
HUF75617D3ST Dodavatel
HUF75617D3ST Distributor
HUF75617D3ST Datová tabulka
HUF75617D3ST Fotky
HUF75617D3ST Cena
HUF75617D3ST Nabídka
HUF75617D3ST Nejnižší cena
HUF75617D3ST Vyhledávání
HUF75617D3ST Nákup
HUF75617D3ST Chip