Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUF75329D3ST

HUF75329D3ST

MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Číslo dílu
HUF75329D3ST
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
128W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7037 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova HUF75329D3ST
HUF75329D3ST Elektronické komponenty
HUF75329D3ST Odbyt
HUF75329D3ST Dodavatel
HUF75329D3ST Distributor
HUF75329D3ST Datová tabulka
HUF75329D3ST Fotky
HUF75329D3ST Cena
HUF75329D3ST Nabídka
HUF75329D3ST Nejnižší cena
HUF75329D3ST Vyhledávání
HUF75329D3ST Nákup
HUF75329D3ST Chip