Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF4N90CT

FQPF4N90CT

MOSFET N-CH 900V 4A
Číslo dílu
FQPF4N90CT
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25065 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQPF4N90CT
FQPF4N90CT Elektronické komponenty
FQPF4N90CT Odbyt
FQPF4N90CT Dodavatel
FQPF4N90CT Distributor
FQPF4N90CT Datová tabulka
FQPF4N90CT Fotky
FQPF4N90CT Cena
FQPF4N90CT Nabídka
FQPF4N90CT Nejnižší cena
FQPF4N90CT Vyhledávání
FQPF4N90CT Nákup
FQPF4N90CT Chip