Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF33N10

FQPF33N10

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Číslo dílu
FQPF33N10
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
41W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53637 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQPF33N10
FQPF33N10 Elektronické komponenty
FQPF33N10 Odbyt
FQPF33N10 Dodavatel
FQPF33N10 Distributor
FQPF33N10 Datová tabulka
FQPF33N10 Fotky
FQPF33N10 Cena
FQPF33N10 Nabídka
FQPF33N10 Nejnižší cena
FQPF33N10 Vyhledávání
FQPF33N10 Nákup
FQPF33N10 Chip