Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF2N80YDTU

FQPF2N80YDTU

MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Číslo dílu
FQPF2N80YDTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F-3 (Y-Forming)
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49012 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQPF2N80YDTU
FQPF2N80YDTU Elektronické komponenty
FQPF2N80YDTU Odbyt
FQPF2N80YDTU Dodavatel
FQPF2N80YDTU Distributor
FQPF2N80YDTU Datová tabulka
FQPF2N80YDTU Fotky
FQPF2N80YDTU Cena
FQPF2N80YDTU Nabídka
FQPF2N80YDTU Nejnižší cena
FQPF2N80YDTU Vyhledávání
FQPF2N80YDTU Nákup
FQPF2N80YDTU Chip