Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF19N10

FQPF19N10

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
Číslo dílu
FQPF19N10
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
38W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17236 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQPF19N10
FQPF19N10 Elektronické komponenty
FQPF19N10 Odbyt
FQPF19N10 Dodavatel
FQPF19N10 Distributor
FQPF19N10 Datová tabulka
FQPF19N10 Fotky
FQPF19N10 Cena
FQPF19N10 Nabídka
FQPF19N10 Nejnižší cena
FQPF19N10 Vyhledávání
FQPF19N10 Nákup
FQPF19N10 Chip